广州成启半导体有限公司 Guangzhou Cheng Qi Semiconductor Co.,LTD
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HOMSEMI半导体创立于2006年,是研发、生产功率场效应管和IGBT的高新科技企业。公司在成立之初,从国外引进国际最先进的MOSFET工艺制程技术,成为国内最先进的MOSFET厂商之一。得益于政府对半导体产业的关怀和支持,我公司发展迅速,目前已通过合资或合作的形式在中国大陆和台湾设有多个封装测试基地和芯片制造基地,并在广州科学城设立了应用实验室和物流中心。

    在发展的过程中,我们建立了高素质的晶圆设计、工艺开发、封装测试、品质控制技术团队,封测基地拥有先进的生产设备和生产管理体系,并率先通过了ISO9001质量管理体系TS16949质量管理体系和ISO14001环境管理体系认证。公司崇尚:创新、平等、诚信、互助,并导入学习型组织企业文化建设,建立了高质、高效的管理运作团队。

    2008年,为适应中国对功率半导体不断增长的需求,HOMSEMI半导体与广州成启半导体有限公司结成合作联盟,在广州市科学城成立了应用实验室和物流中心,建立了完备的电源产品实验环境,为客户提供完整的产品应用方案、产品可靠性测试及产品失效分析。处于第一线的应用工程师能把客户的需求直接反映到芯片的设计工作上,使我们能生产出其它公司难以模仿的,真正为客户创造价值的产品。

    2010年,HOMSEMI  TRENCH (沟槽工艺)MOSFET工艺制程投入使用,技术达到国际领先水平。
    2011年,HOMSEMI  1200V系列IGBT投产,成为大中华区最先投产IGBT的厂商之一。

    今天,HOMSEMI的MOSFET和IGBT产品已经在电源、汽车照明、UPS、马达驱动等领域广泛应用,HOMSEMI良好的信誉和稳定的质量得到客户的广泛认同。

 

我们的使命:深入了解客户的应用需求,提供最适合的产品。做最贴近客户应用需求的功率半导体供应商,与客户双赢互惠,共同发展。

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